印制板及其組件(PCB&PCBA)是電子產(chǎn)品的核心部件,PCB&PCBA的可靠性直接決定了電子產(chǎn)品的可靠性。為了保證和提高電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,對失效進行全面的理化分析,確認失效的內(nèi)在機理,從而有針對性地提出改善措施。
電子元器件失效分析的目的是借助各種測試分析技術(shù)和分析程序確認電子元器件的失效現(xiàn)象,分辨其失效模式和失效機理,確認最終的失效原因,提出改進設計和制造工藝的建議,防止失效的重復出現(xiàn),提高元器件可靠性。
集成電路復雜度與性能要求的持續(xù)攀升,疊加設計、制造、封裝及應用環(huán)節(jié)的潛在風險,導致短路、開路、漏電、燒毀、參數(shù)漂移等關(guān)鍵失效模式頻發(fā)。這不僅造成昂貴的器件報廢與系統(tǒng)宕機,更常引發(fā)設計方、代工廠、封測廠與終端用戶間的責任爭議,帶來重大經(jīng)濟損失與信譽風險。
高分子材料性能要求持續(xù)提升,而客戶對高要求產(chǎn)品及工藝的理解差異,導致斷裂、開裂、腐蝕、變色等典型失效頻發(fā),常引發(fā)供應商與用戶間的責任糾紛及重大經(jīng)濟損失。
金屬構(gòu)件服役環(huán)境日益苛刻,對材料性能和結(jié)構(gòu)可靠性提出更高要求。然而,設計缺陷、材料瑕疵、制造偏差或不當使用等因素,極易引發(fā)疲勞斷裂、應力腐蝕開裂、氫脆、蠕變、磨損、過載變形等典型失效。
美信檢測以海量失效數(shù)據(jù)庫構(gòu)建技術(shù)優(yōu)勢,全譜系案例、復雜場景方案、頭部企業(yè)合作及體系化知識產(chǎn)權(quán),各展其能。憑借百萬級失效解析積累,精準洞察本質(zhì),讓檢測報告為客戶質(zhì)量升級提供有力支撐,實現(xiàn)失效歸零。
實時更新美信檢測最新資訊,包括技術(shù)、展會、活動等動態(tài)。我們以專業(yè)檢測為基石,為客戶定制解決方案,從源頭把控質(zhì)量,助力客戶在市場競爭中脫穎而出,實現(xiàn)商業(yè)成功。
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警惕!這個隱蔽的EOS過電壓機制,可能正在摧毀你的產(chǎn)品

發(fā)布時間: 2025-08-28 00:00
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警惕!這個隱蔽的EOS過電壓機制,可能正在摧毀你的產(chǎn)品

在電子元件的廣闊領域中,光電開關(guān)以其高精度、高可靠性的特點,廣泛應用于工業(yè)自動化、安防監(jiān)控等多個領域。然而,即便是最精密的元件,也難免遭遇失效的困境。

我們發(fā)現(xiàn)某光電開關(guān)失效,光電開關(guān)上的二極管是否正常(未知),用遮光板遮擋光源(二極管),光電開關(guān)無輸出,暫未確定是光電開關(guān)發(fā)射源(二極管)或接收源哪一個發(fā)生故障。

經(jīng)初步排查確定為接收源發(fā)生故障,接下來我們將通過這起光電開關(guān)失效案例,深入剖析其背后的技術(shù)原因與解決方案。



1.外觀檢查&無損檢查

對NG組件上的2個光電開關(guān)分別對應的絲印位號U1和U2輸入二極管和接收源進行外觀檢查,沒有發(fā)現(xiàn)明顯異常。

外觀檢查&無損檢查

對NG組件進行X-ray無損透視檢查,未發(fā)現(xiàn)明顯異常。進行CT掃描后虛擬切片檢查接收源芯片結(jié)構(gòu),亦未發(fā)現(xiàn)明顯異常。

外觀檢查&無損檢查

2.上電確認失效現(xiàn)象

利用OK#1和OK#2已經(jīng)配件焊接一個良品組件。然后分別對NG組件和良品樣品組件上電測試。

結(jié)果匯總?cè)绫?所示。NG組件綠線在有遮擋時輸出電壓異常,跟無遮擋時電壓相當,暗示U2的接收源芯片出現(xiàn)了低阻抗。

上電確認失效現(xiàn)象




3.IV測試

NG組件U1和U2的二極管IV曲線與良品沒有差異,藍線對黑線的IV曲線沒有異常,而綠線對黑線的IV曲線顯示低阻短路。

因此可知NG組件發(fā)生故障的就是U2的接收源芯片出現(xiàn)了低阻短路失效。

IV測試

4.Thermal EMMI定位

拆解觀察失效U2接收源接黑線的die2表面沒有發(fā)現(xiàn)明顯的異常,為對缺陷點進行精確定位。通過給U2接收源pin1(接綠線)對pin3(接黑線)給電探測die2的發(fā)熱點,發(fā)現(xiàn)die2的鍵合區(qū)存在異常熱點。作為對比,pin1(接綠線)對pin2(NC)給電定位die1沒有發(fā)現(xiàn)有熱點。

因此可知,失效的U2的die2鍵合區(qū)存在低阻漏電點。

Thermal EMMI定位

5.開封觀察

對失效U2接收源開封(去膠)后觀察芯片表面,可以發(fā)現(xiàn)die2的鍵合區(qū)存在EOS燒毀異常。

開封觀察

6.光電開關(guān)芯片電參數(shù)測試

結(jié)果顯示OK光電開關(guān)的相關(guān)電參數(shù)都符合規(guī)格要求,一致性較好。NG組件上的U1相關(guān)電參數(shù)也符合規(guī)格要求,只是IC值比OK樣品略低。

根據(jù)這個測試結(jié)果,可知OK光電開關(guān)性能良好,相關(guān)參數(shù)裕量較大,同時還可知光電開關(guān)接收源兩個耐壓參數(shù)BVCEO和BVECO的范圍。BVCEO反應的是接收源沒有光信號輸入時能承受的集電極對發(fā)射極的電壓值,并且可知電路中這個值為15V。BVECO反應的是沒有光信號輸入時能承受的發(fā)射極對集電極的電壓值,可以看到OK光電開關(guān)這個值在10V左右,遠低于BVCEO的值。

光電開關(guān)芯片電參數(shù)測試

光電開關(guān)芯片電參數(shù)測試




7.EOS模擬試驗

正向浪涌(集電極→發(fā)射極):OK#3樣品在170V以上才失效,表現(xiàn)為開路。

反向浪涌(發(fā)射極→集電極):OK#4樣品在24V–36V即失效,呈低阻短路,且開封后燒毀形貌高度與失效U2完全一致

因此可知失效的U2的die2是由于發(fā)射極對集電極過電壓發(fā)生EOS燒毀。黑線對綠色發(fā)生電壓浪涌,這種情況多是因為地線是浮地,存在接地反彈現(xiàn)象。




EOS模擬試驗

EOS模擬試驗

EOS模擬試驗

8.總結(jié)與建議

結(jié)論:失效光電開關(guān)接收源芯片發(fā)生EOS燒毀,EOS過電壓來源可能為地線的接地反彈。

建議:建議加強地線的電壓浪涌防護。



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