







在電子元件的廣闊領域中,光電開關(guān)以其高精度、高可靠性的特點,廣泛應用于工業(yè)自動化、安防監(jiān)控等多個領域。然而,即便是最精密的元件,也難免遭遇失效的困境。
我們發(fā)現(xiàn)某光電開關(guān)失效,光電開關(guān)上的二極管是否正常(未知),用遮光板遮擋光源(二極管),光電開關(guān)無輸出,暫未確定是光電開關(guān)發(fā)射源(二極管)或接收源哪一個發(fā)生故障。
經(jīng)初步排查確定為接收源發(fā)生故障,接下來我們將通過這起光電開關(guān)失效案例,深入剖析其背后的技術(shù)原因與解決方案。
1.外觀檢查&無損檢查
對NG組件上的2個光電開關(guān)分別對應的絲印位號U1和U2輸入二極管和接收源進行外觀檢查,沒有發(fā)現(xiàn)明顯異常。
對NG組件進行X-ray無損透視檢查,未發(fā)現(xiàn)明顯異常。進行CT掃描后虛擬切片檢查接收源芯片結(jié)構(gòu),亦未發(fā)現(xiàn)明顯異常。
2.上電確認失效現(xiàn)象
利用OK#1和OK#2已經(jīng)配件焊接一個良品組件。然后分別對NG組件和良品樣品組件上電測試。
結(jié)果匯總?cè)绫?所示。NG組件綠線在有遮擋時輸出電壓異常,跟無遮擋時電壓相當,暗示U2的接收源芯片出現(xiàn)了低阻抗。
3.IV測試
NG組件U1和U2的二極管IV曲線與良品沒有差異,藍線對黑線的IV曲線沒有異常,而綠線對黑線的IV曲線顯示低阻短路。
因此可知NG組件發(fā)生故障的就是U2的接收源芯片出現(xiàn)了低阻短路失效。
4.Thermal EMMI定位
拆解觀察失效U2接收源接黑線的die2表面沒有發(fā)現(xiàn)明顯的異常,為對缺陷點進行精確定位。通過給U2接收源pin1(接綠線)對pin3(接黑線)給電探測die2的發(fā)熱點,發(fā)現(xiàn)die2的鍵合區(qū)存在異常熱點。作為對比,pin1(接綠線)對pin2(NC)給電定位die1沒有發(fā)現(xiàn)有熱點。
因此可知,失效的U2的die2鍵合區(qū)存在低阻漏電點。
5.開封觀察
對失效U2接收源開封(去膠)后觀察芯片表面,可以發(fā)現(xiàn)die2的鍵合區(qū)存在EOS燒毀異常。
6.光電開關(guān)芯片電參數(shù)測試
結(jié)果顯示OK光電開關(guān)的相關(guān)電參數(shù)都符合規(guī)格要求,一致性較好。NG組件上的U1相關(guān)電參數(shù)也符合規(guī)格要求,只是IC值比OK樣品略低。
根據(jù)這個測試結(jié)果,可知OK光電開關(guān)性能良好,相關(guān)參數(shù)裕量較大,同時還可知光電開關(guān)接收源兩個耐壓參數(shù)BVCEO和BVECO的范圍。BVCEO反應的是接收源沒有光信號輸入時能承受的集電極對發(fā)射極的電壓值,并且可知電路中這個值為15V。BVECO反應的是沒有光信號輸入時能承受的發(fā)射極對集電極的電壓值,可以看到OK光電開關(guān)這個值在10V左右,遠低于BVCEO的值。
7.EOS模擬試驗
正向浪涌(集電極→發(fā)射極):OK#3樣品在170V以上才失效,表現(xiàn)為開路。
反向浪涌(發(fā)射極→集電極):OK#4樣品在24V–36V即失效,呈低阻短路,且開封后燒毀形貌高度與失效U2完全一致
因此可知失效的U2的die2是由于發(fā)射極對集電極過電壓發(fā)生EOS燒毀。黑線對綠色發(fā)生電壓浪涌,這種情況多是因為地線是浮地,存在接地反彈現(xiàn)象。
8.總結(jié)與建議
結(jié)論:失效光電開關(guān)接收源芯片發(fā)生EOS燒毀,EOS過電壓來源可能為地線的接地反彈。
建議:建議加強地線的電壓浪涌防護。





