







某PCBA在使用階段出現功能異常,排查后發現問題集中在板上的CPU。一個令人困惑的現象是:將這顆CPU拆下再重新焊回原位后,故障竟然消失了。
生產方初步懷疑是焊接問題——但外觀檢查并未發現明顯虛焊或裂紋,問題究竟藏在哪?
更復雜的是,這批產品采用了有鉛/無鉛混裝工藝:CPU焊球為無鉛SAC305,PCB焊盤采用ENIG(化學鎳金)工藝,而回流焊使用的卻是有鉛錫膏。
無鉛焊球(熔點約217℃)與有鉛錫膏(熔點約183℃)之間存在顯著的溫度窗口差異,一旦爐溫曲線控制不當,兩種焊料可能無法充分融合——而這,或許正是謎團的關鍵線索。
為了找到問題所在,失效樣品(NG-1、NG-2)、同批次正常樣品(OK-1)、早期正常樣品(OK-2噴錫焊盤工藝)以及裸芯片被一同送入了實驗室。
1.外觀檢查——表面完好不等于內部無恙 首先利用光學顯微鏡觀察CPU四周的BGA焊點,觀察結果如下: 失效樣品與正常樣品的外觀均完整,未見明顯開裂或其他可視缺陷。 各樣品CPU焊點外觀典型圖片 結論: 外觀檢查無法區分失效與正常樣品,問題可能在于焊點內部微觀結構。 2.CT掃描——非破壞性篩查的局限 接著對樣品CPU焊點進行三維CT掃描,結果顯示: 所有樣品焊點整體形貌良好,僅個別焊點存在微小氣孔,未發現明顯虛焊、枕頭效應或宏觀裂紋。 各樣品CPU焊點三維圖片 結論: CT作為非破壞性檢測手段,其分辨率有限,難以識別微米級的界面開裂或金屬間化合物(IMC)層異常。這意味著病灶極可能隱藏在焊點內部,需進一步通過破壞性分析手段驗證。 3.切片分析——焊點內部的結構性差異 為進一步確認失效原因,對樣品以及裸芯片進行切片制樣,然后觀察焊點情況,結果如下: 失效樣品(NG-1、NG-2):邊角焊點完全開裂,斷口位于焊料與焊盤界面處。焊點內部存在明顯分層:無鉛焊球(SAC305)與有鉛錫膏未充分融合,兩者界限清晰,呈"油水分離"狀。 NG-1樣品CPU失效焊點典型金相圖片 NG-2樣品CPU失效焊點典型金相圖片 同批次正常樣品(OK-1):邊角焊點存在部分開裂,同樣觀察到無鉛/有鉛未融合現象。該樣品功能正常,說明開裂尚未導致完全開路,或處于失效早期階段。 OK-1樣品CPU焊點典型金相圖片 早期正常樣品(OK-2):焊點結構完整,無鉛焊球與有鉛錫膏充分融合,富鉛相均勻分布,焊料與焊盤界面結合良好。 OK-2樣品CPU焊點典型金相圖片 裸芯片:焊球與芯片焊盤結合良好,未見異常。 裸芯片焊點典型金相圖片 結論: 失效的直接原因是焊點界面開裂導致電氣開路。但為何ENIG焊盤樣品出現開裂而噴錫焊盤完好?為何同批次ENIG樣品中有的失效、有的暫未失效?答案藏在界面冶金反應中。 4.SEM/EDS分析——界面冶金學的證據 通過掃描電鏡(SEM)觀察切片樣品界面IMC形貌,并結合能譜分析(EDS)測定成分,關鍵差異如下: 各焊點對比結果 關鍵發現: 異常IMC成分:正常ENIG焊盤與有鉛焊料焊接應生成Ni?Sn?或Ni?Sn?,機械強度良好(如NG-1同面其他器件焊點)。而失效CPU焊點界面生成的是鎳銅錫三元合金,該IMC與鎳層結合力差,嚴重削弱界面機械強度。 鎳腐蝕加劇:失效焊點ENIG鎳層存在明顯腐蝕(深度1.34–1.95 μm),進一步降低界面結合力。未焊接的測試點剝金后也觀察到嚴重鎳腐蝕,說明鎳層腐蝕是焊盤本身的工藝缺陷。 銅的來源:其他器件焊點(純有鉛)未出現高銅IMC,而CPU焊點因含SAC305無鉛焊球(Cu含量約0.65%),Cu在焊接過程中擴散至界面,參與了異常IMC的形成。 5.焊球驗證 為確認裸器件中無鉛焊球中Cu含量是否正常,利用ICP方法,取裸芯片上的焊球,對其進行成分測試和熔點測試,檢測結果如下: Cu含量0.651%、Ag含量3.782%,熔點216.3℃,均符合SAC305規格。 焊球熔點測試曲線 結論: 焊球本身無質量問題。 問題指向焊接工藝 該案例采用有鉛/無鉛混裝工藝:有鉛錫膏熔點約183℃,無鉛SAC305焊球熔點約217–220℃。 規范要求無鉛焊球在液相線以上保持20–25秒,以確保其充分熔化并與有鉛錫膏實現冶金融合。 客戶提供的熱電偶曲線顯示峰值溫度約233℃,但未監測無鉛焊球實際液相線以上時間。 結合切片中觀察到的"無鉛/有鉛未融合"現象,可推斷實際液相線以上時間不足。 失效機理: 升溫階段:183℃時有鉛錫膏率先熔化,Sn與ENIG鎳層反應生成初始IMC; 高溫階段:溫度升至217℃以上,無鉛焊球熔化,其中Cu擴散至液態有鉛錫膏中; 降溫階段:溫度降至220℃以下時,無鉛焊球因熔點較高而率先凝固,焊點內部形成未融合分層;同時,界面處Cu與Ni競爭Sn,生成連續不均勻的鎳銅錫三元合金; 應力失效:該異常IMC與受腐蝕鎳層的結合強度極低,在熱應力或機械應力作用下,邊角高應力區焊點率先開裂,最終造成功能失效。 產生上述失效的根本原因主要與兩方面相關:焊接工藝不當;ENIG焊盤中鎳層存在明顯鎳腐蝕現象。 改進建議: 回流曲線:測焊球實溫,而非爐腔溫度 混裝工藝需保證無鉛焊球液相線以上停留20~25秒。驗證時必須在CPU焊球處布置熱電偶,避免"峰值溫度達標、焊球實際未融"的工藝假象。 ENIG來料:剝金查鎳腐 失效焊盤鎳層存在明顯腐蝕(深度1.3~2.0 μm),且未焊接測試點亦發現腐蝕。入檢時應剝金后檢查鎳層,腐蝕超標批次堅決退貨。 表面處理:噴錫更可靠 本案例早期正常樣品采用噴錫焊盤,無鉛/有鉛融合良好,界面IMC均勻。混裝工藝的高可靠性產品,噴錫是已驗證的可行路徑。 結構補強:邊角底部填充 失效均發生在BGA邊角應力集中區。高應力場景可輔以底部填充,分散機械應力。





